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Verlustleistung mit dem Thermometer messen
Neue Entwicklungen bei Leistungstransistoren erlauben deren Realisierung in SMD Technik, wobei die Verlustleistung direkt über den Print, ohne zusätzliche Kühlkörper, abgeführt wird. Zur Auslegung solcher Schaltungen ist eine gute Kenntnis der auftretenden Verluste sehr wichtig. Dazu wird ein einfaches Modell zur Berechnung der Verlustleistung von SMD Power MOSFET aus der Messung der Transistortemperatur vorgestellt. Am Beispiel einer einphasigen H-Brücke wird gezeigt, wie damit statische und dynamische Verluste bestimmt werden können.
Dieser
Bericht wurde im Elektronik vom 30. September 2003 veröffentlicht und
kann im pdf-Format heruntergeladen werden (Downloads
Projects).